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摩托罗拉MTP27N10E芯片解密特性的相关资料

  MTP27N10E这种先进的TMOS功率FET的设计能够承受高能量的雪崩和换向模式。这种新的节能设计还提供了一个漏极至源极二极管具有快速恢复时间。低电压设计,高速开关电源,转换器和PWM马达控制应用程序,这些器件特别适合于桥电路中二极管的速度和换向安全工作领域是至关重要的,并提供额外的安全边缘对意外的电压瞬变。为了方便广大客户对自身芯片解密需求的了解以及做出更科学合理的解密方案选择,我司整理了MTP27N10E芯片解密特性的相关资料,供广大客户及电子工程师参考。
  特征
  ·雪崩能量
  ·源漏二极管恢复时间等同于离散快速恢复二极管
  ·二极管的特点是电桥电路中使用
  ·IDSS和VDS(上)指定的高温
  ·器件标识:MTP27N10E
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