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GAL20RA10技术介绍与芯片解密

[发布时间:10-10-11 来源:http://www.xpjm.net/ 发布者:admin 点击次数:]

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  对GAL20RA10芯片解密,首先需要对IC芯片本身的内部结构、技术特征及其加密特性进行深入分析,以帮助解密工程师对解密技术实现进行解析,选择最具可靠性和高效性的解密方案。
  这里,我们提供对GAL20RA10芯片基本介绍与特性分析,帮助客户及解密工程师对芯片解密进行技术理解与分析。
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  关于GAL20RA10芯片
  该GAL20RA10结合了高性能电可擦除(E2)的浮动门技术,以提供最高的速度表现在PLD市场上现有的CMOS工艺。莱迪思半导体公司的E2CMOS电路实现功率水平高达75mA的典型代表在国际刑事法院的权力大幅节省与双极型晶体管相比,低。 E2的技术提供了高速“(<100毫秒)擦除时间重新编程的能力提供,重新配置或测试设备的速度和效率。
  通用的架构提供了使输出逻辑宏单元(OLMC)由用户设定的最大的设计灵活性。该GAL20RA10是直接兼容CMOS参数为PAL20RA10 device.Unique测试电路允许更换和重新编程细胞的完整交流,直流,并在生产过程中的功能测试。因此,莱迪思半导体公司提供100%的现场可编程性和所有的GAL产品的功能。此外,100擦除/写周期为20年以上和数据保留的规定。
  GAL20RA10Features
  高性能E2CMOS?技术
  - 7.5 ns的最大传输延迟
  - 83.3兆赫的Fmax =
  - 9 ns的最大时钟输入到数据输出
  - mA输出的TTL兼容的8
  - UltraMOS?先进的CMOS技术
  50%至75%,减少权力从两极
  - 75mA的典型电流Icc
  有源上拉对所有引脚
  E2的电池技术
  - 可重构逻辑
  - 细胞重新编程
  - 100%Tested/100%的产率
  - 高速电擦除“(<100毫秒)
  - 20年的数据保存
  十输出逻辑宏单元
  - 独立可编程时钟
  - 独立的异步复位和预置
  - 注册或组合与极性
  - 全功能及参数的兼容性PAL20RA10
  预载和上电复位所有寄存器
  - 100%的功能可测性
  应用包括:
  - 状态机控制
  - 标准逻辑合并
  - 多时钟逻辑设计
  电子签名鉴定