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GAL20V8C主要特点解析与芯片解密

[发布时间:10-10-11 来源:http://www.xpjm.net/ 发布者:admin 点击次数:]

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  这里我们提供对GAL20V8C芯片的基本介绍,供客户以及解密工程师参考借鉴,芯片解密请咨询
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  关于GAL20V8C
  该GAL20V8C,在最大传输延迟时间为5ns,结合了高性能的电可擦除(E2)的浮动门技术,以提供最高的速度表现在PLD市场上现有的CMOS工艺。高速擦除时间“(<100毫秒)允许器件重新编程快速efficiently.The通用架构通过允许输出逻辑宏单元(OLMC)由用户设定的最大的设计灵活性。在众多的建筑配置,重要的一个子集的GAL20V8可能是PAL制式架构中的宏单元描述部分表中列出。 GAL20V8器件是全功能仿真与这些PAL制式的体系的/熔丝图/参数兼容性的能力。
  独特的测试电路和可重复编程的细胞允许完整的交流,直流,并在制造过程中的功能测试。因此,莱迪思半导体公司提供100%的现场可编程性和所有的GAL产品的功能。此外,100擦除/写周期为20年以上和数据保留的规定。
  GAL20V8C特点
  高性能E2CMOS?技术
  - 5 ns的最大传输延迟
  - 166兆赫的Fmax =
  - 4 ns的最大时钟输入到数据输出
  - UltraMOS?先进的CMOS技术
  50%至75%,减少权力从两极
  - 对低功率器件75mA的典型电流Icc
  - 上一季度电力设备四五毫安典型电流Icc
  有源上拉对所有引脚
  E2的电池技术
  - 可重构逻辑
  - 细胞重新编程
  - 100%Tested/100%的产率
  - 高速电擦除“(<100毫秒)
  - 20年的数据保存
  八个输出逻辑宏单元
  - 最大的复杂逻辑设计的灵活性
  - 可编程输出极性
  - 兼C仿真24针伙计?与全功能器件/熔丝图/参数兼容性
  预载和上电复位所有寄存器
  - 100%的功能可测性
  应用包括:
  - DMA控制
  - 状态机控制
  - 高速图形处理
  - 标准逻辑速度升级
  电子签名鉴定