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IS64WV1024BLL芯片解密方案开发成功

目前,我司针对ISSI公司的核心芯片包括高速、低功耗的SRAM;中、低容量的DRAM;EEPROM及其他集成电路存储器都能提供芯片解密方案的开发。由十五年以上资深芯片解密工程师带队,进行多年的试验研究,现已全线突破IS64WV1024BLL芯片解密。无论是简单还是疑难单片机,我们均能为客户提供优质可靠、价格合理的IC解密方案,欢迎广大客户来电咨询IC解密详情及报价信息。这里,我们提供对IS64WV1024BLL芯片的主要性能特征介绍,供大家参考借鉴。更多关于解密详情请咨询我司商务中心!
IS64WV1024BLL概述
ISSI的IS64WV1024BLL是一个128K*8位字长的超高速率,低功耗的CMOS静态RAM。IS64WV1024BLL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。
当/CE处于高电平(未选中)时,IS64WV1024BLL进入待机模式。在此CMOS输入标准的待机模式下,功耗低至25μW(典型值)。
IS64WV1024BLL特性
·高速存取时间:
- 12 ns:3.3V ± 10%
- 15 ns:2.5V - 3.6V
·高性能,低功耗的CMOS工艺
·CMOS低功耗操作
- 50 mW(典型值)工作电流
- 25μW(典型值)待机电流
·多中心电源和地引脚以获得更大的噪声免疫力
·使用引脚/CE1和/CE2轻松实现存储扩展
·/CE掉电
·全静态操作:不需时钟或刷新
·输入输出兼容TTL标准
·封装类型:
- 32引脚TSOP(II型)
- 32引脚STSOP(I型)
- 48球miniBGA(6mm×8mm)
- 32引脚300mil SOJ
·无铅环保
基于IS64WV1024BLL以上特性,我司已经取得重要技术突破,目前已经成功完成IS64WV1024BLL芯片解密方案,更多可解密ISSI单片机型号不断更新中,如果您有芯成ISSI芯片解密需求,欢迎来电来访咨询洽谈。

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