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SST39LF512和SST39VF512解密技术资料

  SST39LF512/010/020/040和SST39VF512/010/020/040器件适用于需要方便,经济地更新程序,配置或数据存储器的应用程序。对于所有系统应用,他们大大提高性能和可靠性,同时降低功耗。本质上,他们比其他闪存技术的擦除和编程过程中使用更少的能源。消耗的总能量是所施加的电压,电流,和时间,应用程序的功能。因为对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术的编程电流更低,擦除时间更短,在任何擦除或编程操作消耗的总能量小于其他闪存技术。这些器件还可以提高灵活性,同时降低程序,数据和配置存储应用的成本。
  SST39LF512和SST39VF512的特点:
  ·组织结构为64K X8/ 128K X8 /256K X8 /512K X8
  ·单电压读写操作
  -  3.0-3.6V SST39LF512/010/020/040
  -  2.7-3.6V SST39VF512/010/020/040
  ·卓越的可靠性
  - 耐力:100,000次(典型值)
  - 大于100年数据保存期
  ·低功耗:
  - 工作电流:10 mA(典型)
  - 待机电流:1μA(典型值)
  ·扇区擦除功能
  - 统一4KB扇区
  ·快速读取访问时间:
  - 45 ns的SST39LF512/010/020/040
  -  55 ns的SST39LF020/040
  -  70和90 ns的SST39VF512/010/020/040
  ·锁存地址和数据
  ·快速擦除和字节的程序:
  - 扇区擦除时间:18毫秒(典型值)
  - 芯片擦除时间:70毫秒(典型值)
  - 字节编程时间:14μs(典型值)
  - 芯片重写时间:
  1秒(典型值)SST39LF/VF512
  2秒(典型值)SST39LF/VF010
  4秒(典型值)SST39LF/VF020
  8秒(典型值)SST39LF/VF040
  ·自动写时序
  - 内部VPP生成
  ·结束写检测
  - 触发位
  - 数据轮询
  ·CMOS I/ O兼容性
  ·JEDEC标准
  - 闪存EEPROM的引脚和指令集
  ·封装可供选择
  - 32引脚PLCC
  - 32引脚TSOP(8毫米x 14毫米)
  -  48球TFBGA(6毫米×8毫米)的1兆位
  对于SST39LF512和SST39VF512芯片的解密,深圳龙人科技有限公司现已取得完美成功,如有SST39LF512和SST39VF512解密需求的欢迎联系咨询我们的客服。

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