SiC MOSFET将量产 芯片解密助力国内企业布局市场 - 专业芯片解密服务商

SiC MOSFET将量产 芯片解密助力国内企业布局市场

[发布时间:16-05-13 来源:http://www.xpjm.net/ 发布者:admin 点击次数:]

    日前,英飞凌科技宣布开始量产碳化硅(SiC) MOSFET,并将从2016年下半年开始面向特定用途供应样品,在2017年正式量产。深圳芯片解密公司龙人科技表示,尽管英飞凌在2001年前仅仅是推出SiC二极管产品,但其SiC MOSFET的研发已经由久以来。
    深圳芯片解密公司龙人科技负责人称,本次英飞凌即将推出的SiC MOSFET是可以更大幅降低损耗的“沟道型”,导通电阻只有目前SiC MOSFET产品通常采用的“平面型”的几分之一,将可成为能激发SiC材料潜能的“真命元件”。
    此外,英飞凌在SiC MOSFET方面还推出了耐压1200V的新产品,其导通电阻为45mΩ,可以像普通的Si IGBT一样,在栅极电压-5V、栅极电压+15V的条件下驱动。将适用于光伏发电系统的逆变器、UPS及蓄电池系统等。   
    近日,深圳芯片解密公司龙人科技正展开SiC MOSFET相关产品应用的正反向研究,将借用反向技术手段对英飞凌SiC MOSFET产品应用进行逆向突破,助力国内高新电子企业自主研发突破。另外,龙人科技芯片解密团队还将为SiC MOSFET的更多应用作出二次改板研究,以满足更低功耗、更稳定性能等要求。
    据深圳芯片解密公司龙人科技反向工程师透露,SiC MOSFET产品是龙人科技众多芯片解密研究项目之一,可为客户提供相关领域的全套技术资料及产品二次开发完整解决方案。除此以外,龙人科技芯片解密研究还涉及雷达、通信、轨道交通、医疗、电力、航天航空等领域。如有相关业务需求,请致电龙人科技反向研发事业部。

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